为什么在逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET全面革掉IGBT的命！
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅逆变焊机！-倾佳电子（Changer Tech）分销
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT逆变焊机，实现更高的逆变焊机焊接质量，更小的逆变焊机体积重量！更低的逆变焊机成本！
随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET！
倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
基本半导体的SiC碳化硅功率器件战略能够满足所有关键因素的要求：BASiCSEMI基本半导体多样化的晶圆和采购网络（BASiCSEMI基本半导体自有晶圆厂及与代工厂相结合，BASiCSEMI基本半导体自有封装厂与代工相结合）、BASiCSEMI基本半导体的平面栅器件B3M及更新的沟槽器件（研发中）、BASiCSEMI基本半导体全面的功率模块封装和电力电子建模、卓越的系统理解、与广泛的汽车、BASiCSEMI基本半导体工业和可再生能源客户的合作，以及未来可根据实际市场需求进行扩展的成本弹性生产足迹，正是这些的因素，使BASiCSEMI基本半导体碳化硅功率器件业务在未来的发展中不断取得成功。
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET模块正在替代英飞凌三菱赛米控富士IGBT模块!
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使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅电力电子系统！-倾佳电子（Changer Tech）分销
使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT变流器，实现更高的变流效率，更小的变流体积重量！更低的变流成本！
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC单管替代正在加速替代IFX英飞凌ON安森美ST意法FUJI富士IGBT单管!
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国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET单管适用于各类逆变焊机，比如气体保护焊，如氩弧焊、二氧化碳气体保护焊，手工弧焊等。
倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
逆变焊机是指采用逆变技术的弧焊电源，它将交流电先整流成直流电，再通过大功率开关元件的交替开关作用（使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已经成为行业潮流），逆变成几K赫兹甚至几百K赫兹的高频交流电，经过变压器降压后输出给电极和工件，形成高频脉冲电弧的焊机。
逆变焊机相比直流焊机具有以下优点：
1.体积小、重量轻、节约制造材料，便于携带和移动。
2.能效高、节能环保、降低用电成本。
3.动态特性好、控制灵活、可实现多种焊接模式和参数调节。
4.输出电压、电流的稳定性好、抗干扰能力强、适应电网波动。
5.焊接效果好、飞溅小、熔深大、变形小、适用于各种金属材料和位置的焊接。
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET可有效的减少逆变焊机变压器、滤波电感、电容以及散热器，电抗等成本，有效降低逆变焊机体积和成本。国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET提高逆变焊机频率从而提高弧焊电源的动态响应特性，促进焊接工艺的精细灵活，提升焊接质量。
IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持结温规定值。
未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
为此，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™研发推出更的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
针对新能源汽车的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
B3M040120Z是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器
