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视频作者：北京晶宇兴科技有限公司
利用压控振荡器来控制频率
高频压控振荡器的电压控制频率部份， 通常是用变容二极管C 与电感 L， 所接成的 LC 谐振电路。提高变容二极管的逆向偏压， 二极管内的空泛区会加大， 两导体面之距离一变长， 电容就降低了， 此 LC 电路的谐振频率， 就会被提高. 反之， 降低逆向偏压时， 二极管内的电容变大，压控振荡器现货， 频率就会降低.
而低频压控振荡器则依照不同频率而选择不同的方法，例如以改变对电容的充电速率为手段来得到一个电压控制的电流源。参见波型产生器。
压控振荡封装方式
VCO采用多种封装形式，通常采用表面贴装封装或同轴连接封装。通常采用坚固及气密性封装，或者专门针对恶劣环境和满足高可靠性标准（工业、商业或用途）进行封装。从常见物料到难寻器件，一应俱全。工作频率范围从DC至220 GHz.
元器件产品被广泛用于航空航天、电信、商业以及工业领域中的测试、开发和系统部署等应用。因此，压控振荡器生产厂家，电镀和封装材料/技术通常满足标准规定，能够达到相关的运行温度范围、湿度、冲击和振动要求。
晶体谐振器的主要技术指标介绍
标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的
频率准确度：振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。
调整频差：在特定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。
负载谐振频率（fL）：在规定条件下，压控振荡器，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。
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