随着第三代半导体材料碳化硅（SiC）的发展，多孔石墨（PG/EM3）作为关键材料，广泛应用于SiC晶体生长工艺中。多孔石墨具有的孔隙结构、高纯度、耐高温和良好的热稳定性，能够显著改善SiC晶体的生长环境，提升晶体质量。
产品特性
高纯度：纯度高，杂质含量低，满足SiC晶体生长对材料的高纯度要求。
多孔结构：具有大孔、介孔和微孔相结合的多级孔隙结构，能够有效调节气相组分，促进物质输运，减少晶体缺陷。
耐高温：可在2000℃以上的高温环境下稳定使用，适用于SiC晶体生长的极端条件。
热稳定性：能够平衡生长环境的温度分布，减少热应力对晶体生长的影响。
定制化：可根据客户的具体需求，定制不同尺寸和孔隙结构的产品。
应用领域
SiC晶体生长：作为长晶炉中的关键材料，多孔石墨板能够改善晶体生长环境，减少微管和其他缺陷，提升晶体质量。
高温隔热材料：用于SiC生长炉的隔热层，提高热效率，降低能耗。
半导体制造：适用于离子注入、CVD等高温工艺中的隔热和支撑部件。
技术优势
优化晶体生长：多孔石墨能够有效调节生长环境中的C/Si比，减少相变的发生，提升晶体生长的稳定性。
降低研发成本：通过优化生长环境，减少晶体缺陷，降低SiC晶体生长的研发成本。
提高原料利用率：多孔石墨能够促进原料的充分升华和利用，提高原料的有效利用率。
公司优势
经验：多年专注于第三代半导体材料的研发和生产，积累了丰富的行业经验。
技术支持：提供的技术咨询和定制化解决方案，满足客户的个性化需求。
：严格的质量检测流程，确保产品符合
