【低压MOS管SI2323基本参数】
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.1A
脉冲漏极电流（IDM）：-15A
零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1μA
栅极阈值电压（VGS (th)）：-0.7V
导通电阻（RDS (on)）： 0.050Ω@ 4.5V
0.070Ω@ 2.5V
功率损耗（PD）：1.25W
工作温度范围：-55℃~150℃
SI2323 场效应管是一种的 P 沟道 MOSFET其主要功能与作用如下：
开关作用：场效应管显著的特性之一就是开关特性好。对于 SI2323 这种 P 沟道的场效应管，当栅源电压一定值时，场效应管导通，电流可以从漏极流向源极；当栅源电压高于一定值时，场效应管截止，阻止电流通过。因此，它可以用于各种电子负载控制、开关电源等电路中，实现电路的通断控制。
放大作用：在一些需要对信号进行放大的电路中，场效应管可以作为放大器使用。通过控制栅源电压的大小，可以改变漏极和源极之间的电流，从而实现对输入信号的放大。
恒流源：场效应管可以方便地用作恒流源。由于其输出电流相对稳定，不受负载变化的影响，因此在需要稳定电流输出的电路中，如电子仪器、传感器等领域，有着广泛的应用。
阻抗变换：场效应管具有很高的输入阻抗，非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级，以提高电路的输入阻抗，减少信号源的负载效应。
