MOS管100N03的基本参数：
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
脉冲漏极电流（IDM）：300A
零栅极电压漏极电流（IDSS）：1μA
栅极阈值电压（VGS (th)）：1.5V
3.3mΩ@ 10V
导通电阻（RDS (on)）： 4.2mΩ@ 4.5V
功率损耗（PD）：70W
工作温度范围：-55℃~150℃
贴片MOS管100N03的功能用途
电源管理：可用于开关电源的开关控制部分，通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，提高电源转换效率。
信号放大：在信号放大电路中，利用其和可调控的电流特性，实现对信号的精准放大。
电机驱动：适用于低电压、低电流的小型伺服电机控制或功率 MOSFET 门驱动器，为电机提供稳定的电流开关控制。
逻辑电路：可用于实现数字逻辑功能，如与、或、非等逻辑门，在数字电路中发挥重要作用。
负载驱动：能够驱动小功率负载，如继电器、LED 等，满足这些负载的开关控制需求。
