场效应管SI2317 SOT-23详细参数：
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-7.0A
脉冲漏极电流（IDM）：-18A
零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1μA
栅极阈值电压（VGS (th)）：-1V
导通电阻（RDS (on)）： 0.025Ω@ -4.5V
0.033Ω@ -2.5V
功率损耗（PD）：2W
工作温度范围：-55℃~150℃
P沟道增强型 MOSFET
场效应管SI2317的功能与用途：
电源管理：用于 DC-DC 变换器的同步整流、低压差开关、电池充放电控制，实现高效能量转换与电源路径切换。
负载开关：在嵌入式系统、移动设备中作为负载开关，控制外设（如 LED、传感器、小型电机）的通断，降低待机功耗。
电池保护：用于锂电池保护板，作为充电 / 放电控制开关，配合保护 IC 实现过流、过压、过温保护。
信号切换：在模拟电路中作为模拟开关，用于信号通路切换，或在音频 / 低频电路中做信号放大与开关控制。
