本公司长期需要各大厂家晶圆东芝.现代.三星.镁光蓝膜晶圆。
大量收购.EHL9、FFF1、EEU3、EGW1、HTX4、HTX5、K9GAG08UOE、
L84、EGZ9、FGC4、FGC2等系列晶圆。
接下来是单晶硅生长，常用的方法叫直拉法。如下图所示，高纯度的多晶硅放在石英坩埚中 晶圆回收，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约1400 ℃，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向：坩埚带着多晶硅熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中 HTX4晶圆回收，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。
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MOS电路制造中 镁光蓝膜晶圆回收，器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断 L74A晶圆回收，调整阀值电压用的沟道掺杂， CMOS的阱形成及源漏区的形成，要采用离子注入法来掺杂。
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