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大量收购.EHL9、FFF1、EEU3、EGW1、HTX4、HTX5、K9GAG08UOE、
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接下来是单晶硅生长，常用的方法叫直拉法。如下图所示，高纯度的多晶硅放在石英坩埚中 求购蓝膜片晶圆，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约1400 ℃，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向：坩埚带着多晶硅熔化物在旋转 镁光蓝膜晶圆，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。
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到达基片的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面 flash 晶圆回收，所以 晶圆，在具有台阶的表面上以真空蒸发法淀积薄膜时，一般，表面被覆性（覆盖程度）是不理想的。
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