早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，LED投影灯，相应的光视效能约0.1流明/瓦。70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λp=555nm），伟实科技LED地埋灯，黄光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），黄冈伟实科技，光视效能也提高到1
