本公司长期需要各大厂家晶圆东芝.现代.三星.镁光蓝膜晶圆。
大量收购.EHL9、FFF1、EEU3、EGW1、HTX4、HTX5、K9GAG08UOE、
L84、EGZ9、FGC4、FGC2等系列晶圆。
干法氧化通常用来形成 HTX4晶圆回收，栅极二氧化硅膜，要求薄 EEU3晶圆回收，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。
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到达基片的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面，所以，在具有台阶的表面上以真空蒸发法淀积薄膜时，一般，表面被覆性（覆盖程度）是不理想的。
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