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数据寄存器输出数据的方式与利用RE#信号的方式类似,负责输出现有的数据,并增加到下一个地址。WE#和RE#时钟运行速度极快,达到30ns的水准。当RE#或CE#不为低的时候 蓝膜,输出缓冲器将为三态
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.写使能(Write Enable flash蓝膜回收, WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。3.读使能(Read Enable 求购flash蓝膜, RE#): RE#允许输出数据缓冲器。4.指令锁存使能(Command Latch Enable, CLE): 当CLE为高时,在WE#信号的上升沿,指令被锁存到NAND指令寄存器中。5.地址锁存使能(Address Latch Enable, ALE):当ALE为高时 晶元蓝膜回收,在WE#信号的上升沿,地址被锁存到NAND地址寄存器中。6.就绪/忙(Ready/Busy, R/B#):如果NAND器件忙,R/B#信号将变低。该信号是漏极开路,需要采用上拉电阻。
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