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随着半导体技术的改进 nand蓝膜回收，闪存也实现了单晶体管设计 flash蓝膜回收，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block) 蓝膜，这些区块是NAND器件中小的可擦除实体。
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这种CE#和RE#的组合使能输出缓冲器，容许NAND闪存与NOR、SRAM或DRAM等其它类型存储器共享数据总线。该功能有时被称为“无需介意芯片启动(chip enable don't care)”。这种方案的初衷是适应较老的NAND器件，它们要求CE#在整个周期为低(译注：根据上下文改写)。
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