本公司长期需要各大厂家晶圆东芝.现代.三星.镁光蓝膜晶圆。
大量收购.EHL9、FFF1、EEU3、EGW1、HTX4、HTX5、K9GAG08UOE、
L84、EGZ9、FGC4、FGC2等系列晶圆。
此方法生产性高,梯状敷层性佳(不管多凹凸不平 L85晶圆回收,深孔中的表面亦产生反应 HTX5晶圆回收,及气体可到达表面而附着薄膜)等,故用途极广。膜生成原理 晶圆回收,例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解,氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。
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低压CVD适用于同时进行多片基片的处理,压力一般控制在0.25-2.0Torr之间。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。气体热分解(约650oC)淀积而成。
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