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在涂敷光刻胶之前，将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力，防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。
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沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。光刻和离子刻蚀定出 PAD 位置。进行退火处理以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性。Wafer Probe晶圆针测工序waferballing process晶圆球状化工艺
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