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NAND器件的另外一个好处显然是其封装选长期求购各种Nand Flash晶圆(如三星，现代，美光等)每月需求2KKpcs。U盘Flash晶圆，T-Flash卡，Flash晶圆，M2卡Flash晶圆项：NAND提供一种厚膜的2Gb裸片或能够支持多四颗堆叠裸片，容许在相同的TSOP-1封装中堆叠一个8Gb的器件。
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.写使能(Write Enable， WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。3.读使能(Read Enable， RE#): RE#允许输出数据缓冲器。4.指令锁存使能(Command Latch Enable， CLE): 当CLE为高时，在WE#信号的上升沿，指令被锁存到NAND指令寄存器中。5.地址锁存使能(Address Latch Enable， ALE)：当ALE为高时，在WE#信号的上升沿 晶元蓝膜回收，地址被锁存到NAND地址寄存器中。6.就绪/忙(Ready/Busy， R/B#)：如果NAND器件忙，R/B#信号将变低。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。
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