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干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄 EEU3晶圆回收，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。
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一般说来 EGW1晶圆回收，正型胶的分辨率高 三星晶圆回收，而负型胶具有感光度以及和下层的粘接性能好等特点。光刻工艺精细图形(分辨率 晶圆回收，清晰度)，以及与其他层的图形有多高的位置吻合精度(套刻精度)来决定，因此有良好的光刻胶，还要有好的曝光系统。
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