MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）信号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），mos管散热，也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，mos管开关，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。 注意事项：（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，z大漏源电压、z大栅源电压和z大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，牡丹江mos管，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时z好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首1选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中著1名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process，SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，mos管工作原理，如砷1化镓（gallium arsenide，GaAs），因为无法在表面长出够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。 mos管散热|苏州硅能(在线咨询)|牡丹江mos管由苏州硅能半导体科技股份有限公司提供。mos管散热|苏州硅能(在线咨询)|牡丹江mos管是苏州硅能半导体科技股份有限公司（www.silikron.com）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取新的信息，联系人：夏经理。 产品：苏州硅能供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
