MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容? ??金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心，氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），场效应管开关电路，氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。 电气特性场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：贴片场效应管场效应管1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，场效应管原理，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。。。。。。。。。常见的场效应管：MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，场效应管工作，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），场效应管，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 场效应管工作|场效应管|苏州硅能半导体科技(查看)由苏州硅能半导体科技股份有限公司提供。场效应管工作|场效应管|苏州硅能半导体科技(查看)是苏州硅能半导体科技股份有限公司（www.silikron.com）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取新的信息，联系人：夏经理。 产品：苏州硅能供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
