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主营产品:大功率半导体分立器件图示系统,晶体管测试仪,MOS场效应管,可控硅测试仪

[供应] IGBT静态参数测试仪

更新时间:2020/7/29 9:03:02
 IGBT静态参数测试仪
    ENJ30200 IGBT静态参数测试仪
系统特征:
● 针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统 
● 大功率(I V 可扩展至4500A、6000V)
● 自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作) 
● 计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储 
● 采用工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点 
● 测试方法灵活(可完美测试器件以及单个单元和多单元的模块测试) 
● 安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)
控制系统:
计算机控制系统
  计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元,设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态,数据采集等均由计算机完成。计算机
采用研华工业控制机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点。
  计算机中,装有美国仪器公司生产的数据采集卡NI PCI6221卡2块,NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡,具有三组数据端口,16/8个模拟
量输入端口,两个模拟量输出口、两个定时器计数器。
PLC控制系统
   控制系统除工控机外,还采用了欧姆龙系列的PLC,PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制,并且与计算机进行通讯,完成了整个系
统的自动控制功能;PLC不仅控制开关的动作,而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控,并与硬件进行互锁,实现了可靠的安全控制功能。
参数条件:
①栅极-发射极漏电流IGES ④集电极-发射极截止电流ICES
IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA 集电极电流ICES:&1600.1-30mA±5%±0.01mA
集电极电压VCE: 0V 集电极电压VCE:&160100-3500V±5%(选配)
栅极电压 VGE: 20V ±3%±0.2V 栅极电压VGE:0V
②集电极-发射极电压BVCES ⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH
集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V(选配) VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V
集电极电流ICES:&1600.1-30mA±5%±0.01mA VGEVCE
栅极电压 VGE:&1600V 集电极电流ICE: 30mA±3%
③集电极发射极饱和电压VCESAT ⑥二极管压降测试VF
VCESAT:0.1-10V VF: 0.1-5V±3%±0.01V&160&160&160&160&160
栅极电压VGE:±15V±2%±0.2V 栅极电压VGE:0V
集电极电流ICE:50-600A±5%(选配) 电流IF:50-600A±5%(选配)
导通电流IC:&16050-600A±5%
栅极电压VGE:&160±15V±0.2V
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