ENX2020雪崩耐量测试系统
系统概述：
半导体分立器件作为在电力电子行业中应用为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。
雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输 出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些 电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。
该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。
系统模块：
主控单元、电源模块、高压输出模块、电流输出模块、数据采集模块、驱动电路、保护电路
系统特征：
雪崩能量/电流超限提示、设备配有应急装置、可设置保护电压、可连接handler
测试结果保存为Excel、测试波形采集及显示、
规格/环境要求：
尺 寸：800x800x1800mm
质 量：210kg
环境湿度：15~40℃
工作电压：AC220V±10%无严重谐波
电网频率：50Hz±1Hz
大气压力：86Kpa~106Kpa
通信接口：USB RS232
系统功耗：320W
功能指标：
配置 测试范围 测试参数 条件 范围
电压
1000V IGBTs
绝缘栅双极型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V～4500V 20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V
电流
200A MOSFETs
MOS场效应管 EAR/重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA～200A 1mA～100mA±3%±0.1mA
100mA～2A±3%±5mA
2A～200A±3%±50mA
DIODEs
二极管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J～2000J 1J～100J±3%±1J
100J～500J±3%±5J
500J～2000J±3%±10J
PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A（取决于传感器）
感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、
重复间隙时间 1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次
