主电路开关元件ＴＲ１～４采用了「ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）」，该器件对静电很敏感（特别是门极端子）与ＣＭＯＳ－ＩＣ相似。因此，为避免直接接触门极端子G1、G2与射极端子E1、E2之间分别短路，如下图所示。此时，为避免直接接触门极端子G1、（G2）连接时请从射极端子E1、E2侧开始，断开时请从门极端子G1、G2侧开始。此外，请不要放在易产生静电的场所。
１．５ 进行耐压、绝缘电阻试验
・拆下所有的箱体接地线（线号８０）。
・ＤＲ１的交流侧和整流侧短路。
・ＴＲ１（Ｃ１）－（Ｅ１），ＴＲ２（Ｃ２）－（Ｅ２），ＴＲ３（Ｃ２）－（Ｅ２）之间要分别短路。
(a)绝缘电阻试验
设定５００ＶM进行以下内容试验。
①Ｐ－Ｓ・Ｅ ５ＭΩ以上
②Ｓ－Ｐ・Ｅ 〃
(b)耐电压试验
①Ｐ－Ｓ ３８００Ｖ，５０／６０Ｈｚ ５秒
②Ｐ－Ｓ・Ｅ １９００Ｖ，５０／６０Ｈｚ ５秒
③Ｓ－Ｐ・Ｅ 〃
④Ｓ－控制 〃
⑤Ｐ－控制 〃
⑥Ｅ－控制 ５００Ｖ，５０／６０Ｈｚ ５秒
・过载解除值 ３ｍＡ （不合格时逐渐增大设定值至１０ｍＡ进行试验。）
・对控制电路进行耐压试验时，把插件ＣＯＮ１的１～８端子、ＣＯＮ２所有端子短路后作为连接点。
