硅片清洗剂配方
一、硅片清洗剂背景介绍：
硅片清洗技术的发展大致可分为4个阶段：
阶段，提出一开始的机械抛光和化学抛光，后期由于处理不得当，造成金属杂质经常会出现重新出现沉淀和硅片的再次污染；
第2阶段，1961～1971年期间，使用初的RCA一1清洗剂，该清洗技术的发展是清洗技术的历程碑；
第3阶段，1972～1989年期间，这一阶段的工作主要集中于对RCA清洗化学原理，适用情况和影响因素等进行深入研究和分析，对RCA清洗技术进行改进；
第4阶段，1990年至今，侧重于对溶液清洗机理和动力学的研究以及新型清洗技术的开发研究。
二、 硅片清洗剂概述：
硅片清洗剂在光伏、电子方面得到了广泛的应用；在运输过程中硅片很容易被污染，从而导致硅的表面不是很清洁，那么如果不清洁直接进行腐蚀与刻蚀，会对后面的工序产生很大影响。所以在很多后续工艺之前要先对硅片表面做一系列的清洗操作。硅片的清洗步骤和思路是这样的：（1）先做表面清洗，去除表面的有机沾污；（2）然后溶解氧化膜（因为氧化层是“玷污陷进”，会引起外延缺陷）；（3）去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。
硅片的清洗工艺主要分为两种：
1、RCA清洗法
RCA清洗法又被称为是标准工业湿法清洗工艺，是在20世纪60年代由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人提出的。使用RAC清洗剂有两种不同的化学溶液组成即：SPM和DHF。SPM具有很高的氧化金属的能力，能将有机物氧化生成水和二氧化碳，并且能够将金属完全氧化后溶解于清洗剂中。SPM清洗硅片可以去除表面的有机物和部分金属，但是当沾污很严重时，就很难完全除去。DHF（HF），该物质不仅可以去除硅片上的已经被氧化的氧化膜，还阻止氧化膜的再次形成。例如硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属使用DHF就很容易去除，它也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。就算自然氧化膜已经被腐蚀的面目全非了，硅片也能完好无损，保持完好，几乎不被腐蚀。
2、HF/O3清洗法
由于臭氧的还原电势比硫酸、双氧水、盐酸都要高，所以我们一般会采用臭氧超净水去除有机物及金属的方法，效果比用传统的SC、SPM、RCA等等要明显。此外，这种方法在室温下清洗，不需要进行废液处理，环保，节省时间，因此比绝大多数传统方法都占有优势。
三、硅片清洗剂配方配方参考
www.591jishu.net
