陶瓷电容器失效原因：银离子迁移的后果。离子迁移可严重破坏正电极表面银层，引线焊点与电极表面银层之间，间隔着具有半导体性质的氧化银，使无介质电容器的等效串联电阻增大，332M1KV陶瓷电容，金属部分损耗增加，陶瓷电容，电容器的损耗角正切值显着上升。由于正电极有效面积减小，电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时，两电极间搭起树枝状的银桥，使电容器的绝缘电阻大幅度下降。 高压陶瓷电容器：相比常见电压击穿与热击穿两种情况下，磁场击穿尽管发生的频率要低一些，但同样是需要我们认真对待的。高压电容器在强磁场下，472M2KV陶瓷电容，发生击穿的现像也比较多。这种现像往往采取有效措施后可得到控制。或者改变电路结构也同样能够加以控制。东莞市辰城电子有限公司是一家有着多年丰富经验和技术及自动生产线的商家，经营产品有：安规Y1、Y2电容；薄膜类CBB电容器；独石电容器等等...高压陶瓷电容器制造工艺要点：原料要精选：影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，223M陶瓷电容，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。成型工艺。成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。烧成工艺。应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。 陶瓷电容、472M2KV陶瓷电容、辰城电子(商家)由东莞市辰城电子有限公司提供。陶瓷电容、472M2KV陶瓷电容、辰城电子(商家)是东莞市辰城电子有限公司（www.btcctr.cn）今年全新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：曾平。 产品：辰城电子供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
