光催化反应原理：
根据以能带为基础的电子理论，半导体的基本能带结构是：存在一系列的满带，上面的满带称为价带（VB）；存在一系列的空带，下面的空带称为导带（CB）；价带和导带之间为禁带。当用能量等于或大于禁带宽度的光照射下，半导体价带上的电子可被激发跃迁到导带，同时在价带产生相应的空穴，这样就在半导体内部生成电子-空穴对。锐钛型TIO2 的禁带宽度为3.2eV,当它7.吸收了波长小于或等于387.5nm的光子后，价带中的电子就会被激发到导带，形成带负电的高活性电子，同时在价带上产生带正电的空穴。由于半导体能带的不连续性，电子和空穴的寿命较长，在电场的作用下，电子与空穴发生分离，迁移到粒子表面的不同位置。它们能够在电场作用下或通过扩散的方式运动，与吸附在半导体催化剂粒子表面上的物质发生氧化或还原反应，或者被表面晶格缺陷捕获，也可能直接复合。
空穴能够同时吸附在催化剂粒子表面的OH-或H2O发生作用生成活性羟基。活性羟基是一种活性更高的氧物，能够无选择地氧化多种有机物并使之矿化，通常认为是光催化反应体系中的主要活性氧化物。光生电子也能够与O2发生作用生成HO2.和O2.等活性氧类，这些活性氧自由基也能参与氧化还原反应。
光催化的魅力
