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HYF33DS系列、renesas 瑞萨系列、Spansion 系列、NBVN 晶圆/晶元。大量回收【深圳庞博电子有限公司】
MOS电路制造中，器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断，蓝膜，调整阀值电压用的沟道掺杂，晶圆蓝膜， CMOS的阱形成及源漏区的形成，Hynix蓝膜，要采用离子注入法来掺杂。
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熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长上去。因此所生长的晶体的方向性是由籽晶所决定的，在其被拉出和冷却后就生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。
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热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理，压力一般控制在0.25-2.0Torr之间。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。
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