明启通电子主营TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等电子元器件，优势库存多，以下为部分优势库存参数：
mos管ZVN4206GTA产品参数：
FET 类型: N 沟道；
技术: MOSFET（金属氧化物）；
漏源电压（Vdss）: 55V；
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.5A（Tc）；
驱动电压（ Rds On，小 Rds On）: 10V；
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 150 毫欧 @ 5A，10V；
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 4V @ 1mA；
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 5.6nC @ 10V；
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）；
安装类型: 表面贴装；
供应商器件封装: SOT-223；
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA；
mos管ZVN4306GTC产品参数：
FET 类型: N 沟道；
技术: MOSFET（金属氧化物）；
漏源电压（Vdss）: 55V；
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.5A（Ta）；
驱动电压（ Rds On，小 Rds On）: 5V；
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 80 毫欧 @ 5A，5V；
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 2V @ 1mA；
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 11.2nC @ 5V；
Vgs（值）: ±13V；
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）: 650pF @ 25V；
功率耗散（值）: 1.8W（Ta），8.3W（Tc）；
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）；
安装类型: 表面贴装；
供应商器件封装: SOT-223；
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA；
mos管PHT11N06LT产品参数：
FET 类型: N 沟道；
技术: MOSFET（金属氧化物）；
漏源电压（Vdss）: 55V；
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.5A（Tc）；
驱动电压（ Rds On，小 Rds On）: 10V；
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 150 毫欧 @ 5A，10V；
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 4V @ 1mA；
Vgs（值）: ±20V；
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）: 230pF @ 25V；
功率耗散（值）: 8W（Tc）；
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）；
安装类型: 表面贴装；
供应商器件封装: SC-73；
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA；
明启通电子主营TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等电子元器件。已具有一定的实力与规模.品种,使本公司在行业中赢得客户的信任和支持,客户遍布各地及其它一些和地区。
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