明启通电子主营TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等电子元器件，优势库存多，以下为部分优势库存参数：
mos管NTF6P02T3G产品参数：
FET 类型: N 沟道；
技术: MOSFET（金属氧化物）；
漏源电压（Vdss）: 55V；
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7A（Tc）；
驱动电压（ Rds On，小 Rds On）: 4.5V，10V；
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 73 毫欧 @ 8A，10V；
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 2V @ 1mA；
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 11nC @ 5V；
安装类型: 表面贴装；
供应商器件封装: SC-73；
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA；
mos管NVF6P02T3G产品参数：
FET 类型: N 沟道；
技术: MOSFET（金属氧化物）；
漏源电压（Vdss）: 55V；
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7A（Tc）；
驱动电压（ Rds On，小 Rds On）: 4.5V，10V；
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 73 毫欧 @ 8A，10V；
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 2V @ 1mA；
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 11nC @ 5V；
Vgs（值）: ±15V；
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）: 584pF @ 25V；
功率耗散（值）: 8W（Tc）；
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）；
安装类型: 表面贴装；
供应商器件封装: SC-73；
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA；
mos管FDT86106LZ产品参数：
FET 类型: N 沟道；
技术: MOSFET（金属氧化物）；
漏源电压（Vdss）: 60V；
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4A（Tc）；
驱动电压（ Rds On，小 Rds On）: 5V，10V；
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 100 毫欧 @ 1.5A，10V；
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 2.8V @ 250μA；
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 9nC @ 5V；
Vgs（值）: ±16V；
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）: 340pF @ 25V；
功率耗散（值）: 3.3W（Tc）；
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）；
安装类型: 表面贴装；
供应商器件封装: SOT-223；
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA；
明启通电子主营TI、NXP、FSC、ON、FAIRCHILD、CHENMKO、VISHAY等电子元器件。已具有一定的实力与规模.品种,使本公司在行业中赢得客户的信任和支持,客户遍布各地及其它一些和地区。
网上报价为系统默认价格，实际价格请咨询明启通电子客服小妹！
