刻蚀气体的选择对于多晶硅栅电极的刻蚀，腐蚀气体可用Cl2或SF6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2；刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蚀Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料，可选择气体种类较多，比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：CHF3 + e——CHF+2 + F (游离基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (气体) + O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF+2 基团反应，大样片离子束刻蚀机， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体 [3] ?。想了解更多关于刻蚀气体的选择的相关资讯，请持续关注本公司。 湿法刻蚀湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是：湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀优点是选择性好、重复性好、生产、设备简单、成本低。本产品信息有创世威纳提供，如果您想了解更多产品信息您可拨打图片上的电话进行咨询！离子刻蚀简介离子刻蚀是利用高能量惰性气体离子轰击被刻蚀物体的表面，达到溅射刻蚀的作用。因为采用这种方法，所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的侧壁形貌。这是一种“通用”的刻蚀方式，可以在任何材料上形成图形。它的弱点是刻蚀速度较低，选择性比较差。传导耦合性等离子体刻蚀的优势在于刻蚀速率高、良好的物理形貌和通过对反应气体的选择，达到针对光刻胶和衬底的高选择比。一般用于对特征形貌没有要求的去胶(ashing，灰化)工艺。反应离子刻蚀是上述两种刻蚀方法相结合的产物，它是利用有化学反应性气体产生具有化学活性的基团和离子。经过电场加速的高能离子轰击被刻蚀材料，使表面受损，大样片离子束刻蚀机价格，提高被刻蚀材料表面活性，大样片离子束刻蚀机厂家，加速与活性刻蚀反应基团的反应速度，大样片离子束刻蚀机，从而获得较高的刻蚀速度。这种化学和物理反应的相互促进，使得反应离子刻蚀具有上述两种干法刻蚀所没有的优越性：良好的形貌控制能力(各向异性)、较高的选择比、可以接受的刻蚀速率。因此在于法刻蚀工艺中反应性离子刻蚀得到广泛应用。想了解更多关于离子刻蚀的相关资讯，请持续关注本公司。 大样片离子束刻蚀机-创世威纳-大样片离子束刻蚀机由北京创世威纳科技有限公司提供。北京创世威纳科技有限公司（www.weinaworld.com.cn）坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支敬业的员工队伍，力求提供好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。创世威纳——您可信赖的朋友，公司地址：北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层，联系人：苏经理。 产品：创世威纳供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
