以四氯化硅、四氯化碳及氢气为原料，把混合气体送到感应加热的供结晶生长用基材上，使之反应。与此同时，使碳化硅结晶在基材上析出。根据反应气的浓度比 碳化硅，结晶生长温度，输送气体的流速，结晶生长用基材种类等条件的不同，其析出的结晶形状有所改变。当SiCl4/CCl4=1.4～1.8(摩尔比)，结晶生长温度1400～1500℃ 山东碳化硅，氢气流速120cm/min以下的场合 碳化硅供应，得到须状结晶。超过这个范围则生成粒状结晶或在基材表面形成薄层。
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合，并加入食盐和木屑，置入电炉中，加热到2000°C左右高温制得。碳化硅主要有四大应用领域 碳化硅批发，即：功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。
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