磁控溅射镀膜机技术原理真空磁控溅射镀膜技术是通过真空磁控溅射镀膜机实现的，镀膜机内由不同级别的真空泵抽气，在系统内营造出一个镀膜所需的真空环境，真空度要达到镀膜所需的本底真空，一般在（1~5）×10-8 Pa。在真空环境中向靶材（阴极）下充入工艺气体气（Ar），气在外加电场（由直流或交流电源产生）作用下发生电离生成离子（Ar+），同时在电场E的作用下，离子加速飞向阴极靶并以高能量轰击靶表面，使靶材产生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉积在PET基片上形成薄膜。同时被溅射出的二次电子在阴极暗区被加速，在飞向基片的过程中，落入设定的正交电磁场的电子阱中，直接被磁场的洛伦兹力束缚，使其在磁场B的洛伦兹力作用下，以旋轮线和螺旋线的复合形式在靶表面附近作回旋运动。电子e的运动被电磁场束缚在靠近靶表面的等离子区域内，使其到达阳极前的行程大大增长，大大增加碰撞电离几率，使得该区域内气体原子的离化率增加，轰击靶材的高能Ar+离子增多，从而实现了磁控溅射高速沉积的特点。在运用该机理开发磁控膜的过程中，要注意以下几个问题：①保证整体工艺中各个环节的可靠性。具体包括靶材质量、工艺气体纯度、原膜洁净程度、原膜质量等基础因素，这一系列因素会对镀膜产品的终质量产生影响。②选择合适的靶材。要建立的膜系是通过对阴极的前后顺序布置实现的。③控制好各环节的工艺性能及参数。如适合的本底真空度、靶材适用的溅射功率、工艺气体和反应气体用量与输入均匀性、膜层厚度等。总之，只有控制好以上各因素，才能够保证所开发的镀膜PET具有稳定的颜色、优异的性能和耐久性。如需了解更多 磁控溅射镀膜机的相关信息，欢迎关注创世威纳网站或拨打图片上的热点电话，我司会为您提供、周到的服务。 磁控溅射镀膜机工艺（1）技术方案 磁控溅射镀光学膜，有以下三种技术路线： （a）陶瓷靶溅射：靶材采用金属化合物靶材，可以直接沉积各种氧化物或者氮化物，有时候为了得到更高的膜层纯度，也需要通入一定量反应气体）； （b）反应溅射：靶材采用金属或非金属靶，通入稀有和反应气体的混合气体，进行溅射沉积各种化合物膜层。 （c）离子辅助沉积：先沉积一层很薄的金属或非金属层，然后再引入反应气体离子源，将膜层进行氧化或者氮化等。 采用以上三种技术方案，在溅射沉积光学膜时，都会存在靶zhong毒现象，从而导致膜层沉积速度非常慢，对于上节介绍各种光学膜来说，膜层厚度较厚，膜层总厚度可达数百纳米。这种沉积速度显然增加了镀膜成本，从而限制了磁控溅射镀膜在光学上的应用。（2）新型反应溅射技术 笔者对现有反应溅射技术方案进行了改进，开发出新的反应溅射技术，解决了镀膜沉积速度问题，同时膜层的纯度达到光学级别要求。表2.1是采用新型反应溅射沉积技术，膜层沉积速度对比情况。想要了解更多 磁控溅射镀膜机的相关内容，请及时关注创世威纳网站。溅射镀膜技术溅射镀膜溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10Pa的Ar或其它惰性气体，在阴极（靶）1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面，使得靶原子溅出并沉积在基片上，形成薄膜。溅射方法很多，主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。由于被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交换动能后飞溅出来的，因而溅射出来的原子能量高，有利于提高沉积时原子的扩散能力，提高沉积组织的致密程度，使制出的薄膜与基片具有强的附着力。溅射时，气体被电离之后，气体离子在电场作用下飞向接阴极的靶材，电子则飞向接地的壁腔和基片。这样在低电压和低气压下，产生的离子数目少，靶材溅射效率低；而在高电压和高气压下，尽管可以产生较多的离子，但飞向基片的电子携带的能量高，容易使基片发热甚至发生二次溅射，影响制膜质量。另外，靶材原子在飞向基片的过程中与气体分子的碰撞几率也大为增加，因而被散射到整个腔体，磁控溅射，既会造成靶材浪费，又会在制备多层膜时造成各层的污染。如需了解更多磁控溅射镀膜机的相关信息，欢迎关注创世威纳网站或拨打图片上的热点电话，我司会为您提供、周到的服务。 磁控溅射-创世威纳科技公司(图)由北京创世威纳科技有限公司提供。北京创世威纳科技有限公司（www.weinaworld.com.cn）坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支敬业的员工队伍，力求提供好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。创世威纳——您可信赖的朋友，公司地址：北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层，联系人：苏经理。 产品：创世威纳供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
