光电探测器原理 光电探测器，200mhz光电探测器厂家，从其字面意思来看1，200mhz光电探测器生产厂家，相信大家都能猜到，这种探测器能够将光信号转化为电信号。光电探测器的分类有好多种，根据器件工作原理的不同或者根据器件对辐射响应方式的不同，光电探测器一般分为两大类，一种是热探测器，还有一种是光子探测器。光电探测器的工作原理是基于光电效应，热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高，从而改变了它的电学性能，它区别于光子探测器的特点是对光辐射的波长无选择性。 光电探测器工作原理光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eg当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，200mhz光电探测器多少钱，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，200mhz光电探测器，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图 画出了几种常用半导体材料(如 GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP 等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。光电探测器响应速度和反应带宽??响应速度可以用光生载流子的渡越时间表示，载流子的渡越时间外在的频率响应的表现就是探测器的带宽。光生载流子的渡越时间在光生电流变化中表现为两部分：上升时间和下降时间。通常取上升时间和下降时间中的较大者衡量探测器的响应速度。决定探测器响应速度的因素主要有：??⑴、耗尽区载流子渡越时间：载流子的渡越时间是影响探测器响应速度的因素，当耗尽区电场强度达到时， Wd 表示载流子的漂移速度，W表示耗尽区宽度，那么载流子的渡越时间为：t=W/Vd??⑵耗尽区外载流子扩散时间：载流子扩散的速度较慢，同时大多数产生于耗尽区之外的载流子的寿命非常短，复合发生速度快。所以扩散运动只对距离耗尽区范围较近的载流子才能通过扩散运动达到耗尽区中，并在电场中漂移产生光电流。Dc表示载流子的扩散系数，d 表示扩散距离， 200mhz光电探测器多少钱-北京康冠世纪由北京康冠世纪光电科技有限公司提供。北京康冠世纪光电科技有限公司（www.conquer-oc.com）是一家从事“光电探测器,电光调制器,微波光子链路,电光调制仪,微波放大器”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“康冠世纪”拥有良好口碑。我们坚持“服务为先，用户至上”的原则，使康冠世纪在工业制品中赢得了众的客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！ 产品：康冠世纪供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
