光电探测器 探测器需要在某一给定波长范围具有很高的灵敏度。有些情况下,需要灵敏度不变,或者至少在给定波长区域内不变。有时也需要在一些其它波长区域没有响应;例如,日盲探测器,只在很短的紫外光波段是灵敏的,而对于太阳光不敏感。 探测器必须在某一功率范围内工作正常。限制探测器功率的值取决于非线性响应或者损伤问题,而功率则是由噪声决定。动态范围(探测功率与探测功率的比值用分贝表示)也非常重要。有些探测器在动态范围大于70dB时也具有很高的线性响应。 光电探测器响应速度和反应带宽介绍响应速度可以用光生载流子的渡越时间表示,低噪声光电探测器多少钱,载流子的渡越时间外在的频率响应的表现就是探测器的带宽。光生载流子的渡越时间在光生电流变化中表现为两部分:上升时间和下降时间。通常取上升时间和下降时间中的较大者衡量探测器的响应速度。决定探测器响应速度的因素主要有:⑴、耗尽区载流子渡越时间;⑵耗尽区外载流子扩散时间;⑶光电二极管耗尽区电容:越大,响应速度就越慢。光电探测器工作原理光电探测器的基本工作机理包括三个过程:(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时,如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eg当光在半导体中传输时,光波的能量随着传播会逐渐衰减,低噪声光电探测器报价,其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收,本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外,还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高,由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出,当本征吸收开始时,低噪声光电探测器,半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料,低噪声光电探测器厂家,由于其是间接带隙材料,与三五族材料相比跃迁几率较低,因而只有非常小的吸收系数,同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多,如图 画出了几种常用半导体材料(如 GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP 等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。 低噪声光电探测器-康冠世纪公司-低噪声光电探测器厂家由北京康冠世纪光电科技有限公司提供。北京康冠世纪光电科技有限公司(www.conquer-oc.com)为客户提供“光电探测器,电光调制器,微波光子链路,电光调制仪,微波放大器”等业务,公司拥有“康冠世纪”等。专注于工业制品等行业,在北京 海淀区 有较高度。欢迎来电垂询,联系人:杨经理。 产品:康冠世纪供货总量:不限产品价格:议定包装规格:不限物流说明:货运及物流交货说明:按订单