光电探测器相关内容红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多，探测器的时间常数一般为50～500微秒，HgCdTe探测器的时间常数在10-6～10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号，低噪声光电探测器厂家，例如10-14 瓦；输出的电信号也非常小，低噪声光电探测器生产厂家，因此要有专门的前置放大器。在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为好；在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，低噪声光电探测器，而输出电流大的器件有光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；外加偏置电压低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置；在暗电流方面，光电倍增管和光电二极管小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大；长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为，其次是光电倍增管与光电三极管；在光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe光敏电阻为宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。 光电探测器的性能指标介绍暗电流和噪声光电流指在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流，暗电流可以定义为没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小，是探测器的主要指标之一。暗电流主要包括以下几种：①耗尽区中边界的少子扩散电流;②载流子的产生-复合电流，通过在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效减小载流子的产生-复合电流，通常对于高纯度的单晶硅产生-复合电流可以降低到2*1011A/nm2 ?以下;③表面泄漏电流，在制造工艺结束时，对芯片表面进行钝化处理，可以将表面漏电流降低到 1011A/nm2量级。当然，暗电流也受探测器工作温度和偏置电压的影响。探测器的暗电流与噪声是分不开的，通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声：a暗电流噪声：对于一个光电探测器来讲，可接收的较小光功率是由探测器的暗电流决定的，所以减小探测器的暗电流能提高光接收机的灵敏度;b散粒噪声：当探测器接收入射光时，散粒噪声就产生于光子的产生-复合过程中。由于光生载流子的数量变化规律服从泊松统计分部，所以光生载流子的产生过程存在散粒噪声;c热噪声：由于导体中电子的随机运动会产生导体两端电压的波动，低噪声光电探测器，因此就会产生热噪声。光电探测器的电路模型中包含的电阻为其热噪声的主要来源。光电探测器光电导类型光电导类型包括使用本征半导体的本征光电导电池和使用杂质半导体的杂质光电导电池。本征光电导电池包括用于可见光区域的CdS电池，用于近红外区域的PbS和InSb电池以及用于中红外区域的HgCdTe电池。作为杂质光电导电池，在红外区域中广泛使用以Ge为基础并添加诸如Au，Hg，Cu，Zn和Be的杂质的电池。由于它们的电离电压为0.16至0.02 eV，因此必须进行冷却以避免热激发。 低噪声光电探测器-康冠世纪公司-低噪声光电探测器生产厂家由北京康冠世纪光电科技有限公司提供。北京康冠世纪光电科技有限公司（www.conquer-oc.com）是北京 海淀区 ,工业制品的，多年来，公司贯彻执行科学管理、发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在康冠世纪领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创康冠世纪更加美好的未来。 产品：康冠世纪供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
