（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V 1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA集电极电压VCE：0V栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压Vge： 0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A5）集电极-发射极截止电流ICES集电极电压VCE： 100-5000V±3%集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅极电压VGE： 0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth： 1-10V±2%±0.1VVce：12V集电极电流ICE： 30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1AVge： 0V 什么是大功率半导体元件？其用途为何？ 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，变频器用IGBT测试仪加工，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，变频器用IGBT测试仪批发，光电及其他能源的转换上。现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，变频器用IGBT测试仪现货供应，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ，带动MOSFET及IGBT的发展，江西变频器用IGBT测试仪，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。 江西变频器用IGBT测试仪-华科IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司（www.igbts.com.cn）是广东 深圳 ,电子测量仪器的企业，多年来，公司贯彻执行科学管理、发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在华科智源领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创华科智源更加美好的未来。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
