制造商: NXP 产品种类: 射频MOSFET晶体管 RoHS: 符合RoHS 详细信息 晶体管极性: Dual N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 11 V Id-连续漏极电流: 30 mA 配置: Dual 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-143R 封装: Reel 商标: NXP Semiconductors Pd-功率耗散: 200 mW 工厂包装数量: 3000 Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
