制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 16 V
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
配置: Single
Qg-栅极电荷: 32 nC
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 69 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-2
封装: Tube
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
下降时间: 15 ns
小工作温度: - 55 C
上升时间: 84 ns
工厂包装数量: 75
典型关闭延迟时间: 26 ns
