目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，地铁IGBT测试仪现货供应，实现模块的动态参数测试。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW 静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统HUSTEC-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，封装用IGBT测试仪加工，并未对所有技术细节作出规定，浙江IGBT测试仪，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。2.2反向恢复技术条件测试参数：1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、Qrr (反向恢复电荷)：1～1000uC1～50uC±5%±0.1 uC50～200uC±5%±1 uC200～1000uC±5%±2 uC3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns20～100±5%±1ns100～500±5%±2ns500～2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ0.5～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～200mJ±5%±1mJ200～1000mJ±5%±2mJ测试条件：1、正向电流IFM：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围：200～10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围：100～10000V/us 检修用IGBT测试仪-华科智源(推荐商家)由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司（www.igbts.com.cn）有实力，信誉好，在广东 深圳 的电子测量仪器等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善理念将促进华科智源和您携手步入，共创美好未来！ 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
