设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。
系统支持 Si 器件和 SiC 器件的静态参数测试。
ENJ2005-B 半导体分立器件测试系统
测试参数：
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IROPTO
击穿参数：BVCEO BVCES300μS Pulse above 10mABVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS、
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VFOpto-DiodeVGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VORegulator、IINRegulator
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
基础配置：
技术参数
ENJ2005-B型
主极电流
100nA-50A
扩展电流
100A、500A、1000A、1200A
电压分辨率
1mV
电流分辨率
1nA可扩展至10pA
测试精度
0.2%+2LSB
测试速度
0.5mS/参数
