EN-1230A型分立器件动态参数测试系统是针对于半导体器件进行非破坏性瞬态测试。用于可用于Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT的动态参数测试。系统的测试原理符合相应的、军标、系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。选件丰富，通过选件的灵活搭配组合实现相应的测试功能，PC为系统主控计算机，测试结果可输出为EXCEL及文本格式。
EN-1230A 分立器件动态参数测试系统
参数条件：
基本参数/Basic parameters
功率源/Power source
阻性/感性开关特性单元
Resistance/Inductance
Switching performance unit
脉宽/Pulse width：50μs~2000μs、0.1μs步径/Steps时间分辨率：1ns
栅极驱动/Gate drive：±30V，分辨率0.1V
电阻/Resistance：定制/Commission
漏极电压/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V
电流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A
电感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH，程控式连续可调
测试参数：开启延迟时间（tdon、关断延迟时间（tdoff、上升时间（tr、下降时间（tf
栅极电荷单元
Gate charge unit
栅极驱动电流/Gate drive current：0~200mA，分辨率1.0mA
栅极电压/Gate voltage：±30V，分辨率±0.1V
电流/current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A
漏级电压/Drain voltage：5V~1500V，分辨率1V
栅极等效电阻范围/Gate equivalent resistance：0.1~50Ω，可调/Adjustable
测试参数：栅电荷（Qg、栅源电荷（Qgs、栅漏电荷（Qgd、平台电压（Vgp
反向恢复特性单元
Reverse recovery charge
test unit
正向电流（IF）：≤300A，分辨率0.1A
反向恢复时间（Trr）：10ns~2.0μs，分辨率1ns
反向恢复电流（Irm）：≤300A
反向恢复电荷（Qrr）：1nC~100μC，分辨率1nC
反向电压（Vr）：5V~1500V，step1V
电感/Inductance：0.01mH~160mH，分辨率10μH,程控式连续可调
短路特性
Short circuit performance
电流/Max current：1000A
栅极驱动/Gate drive：±30V，分辨率 0.1V
脉冲时间/Pulse width：5us~100us
漏极电压/Drain voltage：5V~1500V，Step1V
测试参数/Test parameters：短路电流Isc、短路耐量Esc、短路时间Tsc
雪崩测试单元
Avalanche test unit
雪崩耐量/EAS：100J
雪崩击穿电压/Avalanche break down voltage：2500V
雪崩电流/IAS：1.0~400A；分辨率 1.0A
雪崩感性负载范围/Avalanche inductive load range：0.01mH～160mH；分辨率10μH；
结电容/电阻测试单元
Junction capacitor /resistance test unit
电流/Current：1.0~300A，分辨率/Resolution:1.0A
电压/Voltage：5V~1500V，分辨率1V
测试扫频范围/Test sweep range：0.1MHz～5MHz
输入电容Cies、输出电容Coe、反向转移电容Cres
反偏安全工作区单元
Anti-bias SOA unit
2倍额定电流下，测试关断时电压电流
To test voltage and current of off-state under 2x rated current
