2.3栅极电荷技术条件测试参数：栅极电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC测试条件：1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;3、集电极电压：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求 测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。 半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，变频器用IGBT测试仪加工，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，变频器用IGBT测试仪价格，都具有独立的供电系统，以便在测试时，天津变频器用IGBT测试仪，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW 华科分立器件测试仪-天津变频器用IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”就选深圳市华科智源科技有限公司，公司位于：深圳市宝安区西乡街道智汇中心B座606，多年来，华科智源坚持为客户提供好的服务，联系人：陈少龙。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。华科智源期待成为您的长期合作伙伴！ 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
