4验收和测试1)验收由双方共同参加，风力发电用IGBT测试仪加工，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，香港IGBT测试仪加工，检验单元是否功能、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。2)卖方负责组织和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。培训后，便携式IGBT测试仪加工，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。 2.4短路技术条件1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V2、一次短路电流：20000A500～1000A±3%±2A1000A～5000A±2%±5A5000A～20000A±2%±10A3、tp：5-30us 2.5雪崩技术条件1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA10A～50A±3%±1A3、EA：10mJ～20J10mJ～1000mJ±3%±1mJ1J～20J±3%±10mJ4、脉冲宽度：40—1000uS可设定5、测试频率：单次2.6 NTC测试技术条件阻值测量范围：0～20KΩ3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA； 华科IGBT静态参数-便携式IGBT测试仪加工由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支的员工队伍，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。华科智源——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市宝安区西乡街道智汇中心B座606，联系人：陈少龙。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
