测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数，新能源汽车IGBT测试仪加工， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。 半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，变频器用IGBT测试仪加工，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，大功率IGBT测试仪加工，都具有独立的供电系统，以便在测试时，辽宁IGBT测试仪加工，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。 2.2反向恢复技术条件测试参数：1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、Qrr (反向恢复电荷)：1～1000uC1～50uC±5%±0.1 uC50～200uC±5%±1 uC200～1000uC±5%±2 uC3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns20～100±5%±1ns100～500±5%±2ns500～2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ0.5～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～200mJ±5%±1mJ200～1000mJ±5%±2mJ测试条件：1、正向电流IFM：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围：200～10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围：100～10000V/us（3）设备的功能特点1）各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。2）具有大容量的数据采集能力。测试数据直接进入控制电脑，这样使得采集数据的容量为无限大。3）具有内置的软件，帮助提供自动判断。4）具有方便的历史数据存储及检索功能。 辽宁IGBT测试仪加工-华科半导体测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。辽宁IGBT测试仪加工-华科半导体测试仪是深圳市华科智源科技有限公司升级推出的，以上图片和信息仅供参考，如了解详情,请您拨打本页面或图片上的联系电话，业务联系人：陈少龙。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
