西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室简称长禾实验室位于西安市高新技术经济开发区，是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是CNAS 认可实验室，属于大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有的系统设备、的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套，测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承务实的经营理念，为客户提供的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准
功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj100℃ 电压电流1800A 12V IEC 客户自定义
高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 温度150℃； 电压2000V 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温门极试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度150℃； 电压2000V 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度150℃ 电压2000V 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度-80℃ 电压2000V 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温储存试验（HTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度150℃； 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
低温储存试验（LTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度-80℃ 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温高湿试验（THB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度180℃ 湿度范围：10%~98% 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高低温循环试验（TC） MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围：-80℃~220℃ 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
稳态功率试验（SSOL） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高加速应力试验（HAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃/110℃ 湿度85% 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
*无偏压的高加速应力试验（UHAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃ 湿度85% 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
高温蒸煮试验（PCT） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度121℃ 湿度 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
预处理试验（Pre-con） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
潮气敏感度等级试验（MSL） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
*可焊性试验（Solderability） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 有铅、无铅均可进行 美军标，，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等
