3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A； 三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）L:可以进行不同曲线的对比，地铁IGBT测试仪厂家，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，江苏地铁IGBT测试仪，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，地铁IGBT测试仪批发，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，地铁IGBT测试仪现货供应，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。 江苏地铁IGBT测试仪-华科地铁IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司位于深圳市宝安区西乡街道智汇中心B座606。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前华科智源在电子测量仪器中享有良好的声誉。华科智源取得商盟认证，我们的服务和管理水平也达到了一个新的高度。华科智源全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
