IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，封装用IGBT测试仪批发，实现模块的动态参数测试。2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，封装用IGBT测试仪厂家，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，电子版一份；（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。 2.3栅极电荷技术条件测试参数：栅极电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC测试条件：1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;3、集电极电压：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求测量目的：对模块的电压降参数进行检测， 可判断模块是否处于正常状态。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，封装用IGBT测试仪现货供应，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，贵州封装用IGBT测试仪，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。 封装用IGBT测试仪批发-华科IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司有实力，信誉好，在广东 深圳 的电子测量仪器等行业积累了大批忠诚的客户。公司精益求精的工作态度和不断的完善理念将促进华科智源和您携手步入，共创美好未来！ 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
