华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，青海IGBT测试仪加工，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管 3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?脉冲时间：40~100ms可设定3.3主要技术要求3.3.1 动态参数测试单元技术要求3.3.1.1 环境条件1)海拔高度：海拔不超过1000m；2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；3)工作环境温度： -5℃～40℃；4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，轨道交通用IGBT测试仪加工，湿球温度计温度: 40℃以下)；5)震动：抗能力按7级设防，便携式IGBT测试仪加工，地面抗震动能力≤0.5g；6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害； 便携式IGBT测试仪加工-华科分立器件测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是广东 深圳 ,电子测量仪器的企业，多年来，公司贯彻执行科学管理、发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在华科智源领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创华科智源更加美好的未来。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
