2.4短路技术条件1、Vcc： 200～1000V 200～1000V±3%±2V2、一次短路电流：20000A500～1000A±3%±2A1000A～5000A±2%±5A5000A～20000A±2%±10A3、tp：5-30us 2.5雪崩技术条件1、Vce：50～500V±3%±5V 500～1000V±3%±5V2、Ic：1A～50A 1A～9.9A±3%±50mA10A～50A±3%±1A3、EA：10mJ～20J10mJ～1000mJ±3%±1mJ1J～20J±3%±10mJ4、脉冲宽度：40—1000uS可设定5、测试频率：单次2.6 NTC测试技术条件阻值测量范围：0～20KΩ 2.2反向恢复技术条件测试参数：1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、Qrr (反向恢复电荷)：1～1000uC1～50uC±5%±0.1 uC50～200uC±5%±1 uC200～1000uC±5%±2 uC3、trr(反向恢复时间)：20～2000ns20～100±5%±1ns100～500±5%±2ns500～2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失)：0.5～1000mJ0.5～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～200mJ±5%±1mJ200～1000mJ±5%±2mJ测试条件：1、正向电流IFM：50～1000A50～200A±3%±1A200～1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围：200～10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk：200～1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围：100～10000V/us IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V</p 上海封装用IGBT测试仪-华科IGBT测试平台由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司位于深圳市宝安区西乡街道智汇中心B座606。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前华科智源在电子测量仪器中享有良好的声誉。华科智源取得商盟认证，我们的服务和管理水平也达到了一个新的高度。华科智源全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
