3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，轨道交通用IGBT测试仪加工，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：。50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？当大功率元件在作导通参数的测试时，轨道交通用IGBT测试仪厂家，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后，轨道交通用IGBT测试仪，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，轨道交通用IGBT测试仪价格，以分辨其中的优劣。买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。 华科IGBT测试台-轨道交通用IGBT测试仪厂家由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司为客户提供“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”等业务，公司拥有“华科智源,HUSTEC,”等，专注于电子测量仪器等行业。华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。，在深圳市宝安区西乡街道智汇中心B座606的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：陈少龙。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
