快恢复二极管原理定义
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快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。
恢复肖特基二极管结构特点
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恢复二极管是介于肖特基和普通2极管之间的，它既有肖特基二极管的导通压降低（没有肖特基低），LED快恢复二极管价格，速度快，又有比较高的耐压（肖特基一般耐压很低），LED快恢复二极管台产芯片，快恢复主要用于频率较高的场合做整流，LED快恢复二极管GPP芯片，比如开关电源的二次整流，用于市电的整流，快恢复二极管没有问题，LED快恢复二极管，但由于快恢复二极管材料和工艺的原因，它的PN结较普通整流管要薄，在过瞬间大电流的能力较普通的为弱，尤其是在滤波电容过大的情况下，管子通电电流限制内选择不当会在一瞬间烧毁快恢复的PN结。
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快恢复二极管外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电而击穿。引起电而击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电作为击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电而击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永而久之破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
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