3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA； 主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V；150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；0～+30V±1%±0.1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；2.7测试夹具1、控制方式：气动控制2、控温范围：室温—150℃ 室温—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3%3、电源：交流50HZ，便携式IGBT测试仪，220V，功率不大于1000W4、夹具能安装不同规格的适配器，便携式IGBT测试仪价格，以测试不同规格的器件，便携式IGBT测试仪现货供应，不同模块需要配备不同的适配器，设备出厂时配备62mm封装测试夹具、EconoPACK3封装测试夹具、34mm封装测试夹具各一套，但需甲方提供适配器对应器件的外形图；安全技术要求：满足GB19517—2009电气设备安全技术规范。2.8环境要求环境温度：15～35℃相对湿度：小于70%大气压力：86Kpa～ 106Kpa压缩空气：不小于0.4MPa电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制电网频率：50Hz±1Hz 便携式IGBT测试仪-华科IGBT测试台由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是广东 深圳 ,电子测量仪器的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、发展、诚实守信的方针，满足客户需求。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。在华科智源领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创华科智源更加美好的未来。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
